[发明专利]一种单晶氧化锌纳米柱阵列及其制备方法

摘要

一种单晶氧化锌纳米柱阵列及其制备方法，属于氧化物半导体纳米材料技术领域。ZnO纳米柱阵列为六方纤维锌矿结构。工艺为：将硅片分别在丙酮和酒精中超声清洗25～30min，并用去离子水冲洗干净；然后在硅片上蒸镀一层0.5～2nm厚的金催化剂薄膜；将高纯Zn粉作为蒸发源放在石英舟中，镀有金膜的硅衬底斜放在距蒸发源7～9mm处；将石英舟放置在水平管式炉中，充入流量为150～200标准毫升/分钟的氩气作为保护气氛；将管式炉升温至470～520℃，蒸发150～200min后，硅片表面的灰白色沉积物为ZnO纳米柱阵列。优点在于，制备出的ZnO纳米柱阵列的取向性非常高，纳米柱为单晶，设备简单，原料廉价，工艺简单易行，成本很低，产率高。

主权项

1、一种单晶氧化锌纳米柱阵列，其特征在于：ZnO纳米柱阵列为六方纤维锌矿结构，纳米柱为单晶，在其光致发光谱中观察到近带边激子发射。