[发明专利]一种单晶氧化锌纳米柱阵列及其制备方法无效
| 申请号： | 200710099799.4 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101070614A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 常永勤;俞大鹏 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/02;B82B3/00;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种单晶氧化锌纳米柱阵列，其特征在于：ZnO纳米柱阵列为六方纤维锌矿结构，纳米柱为单晶，在其光致发光谱中观察到近带边激子发射。
2、一种制备权利要求1所述单晶氧化锌纳米柱阵列的方法，其特征在于：工艺为；
(1)将硅片分别在丙酮和酒精中超声清洗25～30min，并用去离子水冲洗干净；然后在硅片上蒸镀一层0.5～2nm厚的金催化剂薄膜；
(2)将高纯Zn粉作为蒸发源放在石英舟中，镀有金膜的硅衬底斜放在距蒸发源7～9mm处；
(3)将石英舟放置在水平管式炉中，充入流量为150～200标准毫升/分钟的氩气作为保护气氛；
(4)将管式炉升温至470～520℃，蒸发150～200min后，将温度降至室温；
(5)将样品从管式炉中取出，硅片表面的灰白色沉积物为ZnO纳米柱阵列。
3、按照权利要求2所述的方法，其特征在于，高纯Zn粉为99.99％的纯度。
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