[发明专利]具有凹陷栅极的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710096999.4 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101097957A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 郑永均 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种具有凹陷栅极的半导体器件，包括：具有凹陷的半导体衬底；用于栅极电极的导电图案，填充该凹陷并且具有突出高于该半导体衬底表面的延伸部分；外延半导体层，具有布置于该半导体衬底之上的上表面；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层配置于该外延半导体层与该导电图案之间以及该半导体衬底与该导电图案之间。此外，公开了一种制造该半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹陷 栅极 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有凹陷栅极的半导体器件，包含：具有凹陷的半导体衬底；用于栅极电极的导电图案，所述导电图案填充所述凹陷并具有突出高于所述半导体衬底表面的延伸部分；具有上表面的外延半导体层，所述外延半导体层设置在所述半导体衬底上；和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述外延半导体层与所述导电图案之间以及所述半导体衬底与所述导电图案之间。
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