[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种具有二极管元件的半导体装置，其目的在于防止由纵向型寄生双极晶体管引起的漏电流并提高电流效率。该半导体装置在N阱层(2)上设置元件分离绝缘膜(3a)，在由元件分离绝缘膜(3a)包围的N阱层(2)上形成第一P+层(4)和与第一P+层(4)分离开的第二P+层(5)。在第一P+层(4)和第二P+层(5)之间的N阱层(2)上形成电极层(10)。在元件分离绝缘膜(3a)、(3b)之间的N阱层(2)上形成接触用的N+层(3)。第一P+层(4)与阳极配线(8)连接，电极层(10)、第二P+层(5)及N+层(13)与阴极配线(12)连接。这样，在半导体基板(1)上形成利用横向型PNP双极晶体管(60)的二极管元件。

主权项

1.一种半导体装置，在半导体基板上设有二极管元件，其特征在于，包括：第一导电型的阱层，其形成在所述半导体基板上，与所述二极管元件的阴极电极连接；第二导电型的第一杂质层，其与所述二极管元件的阳极电极连接，形成在所述阱层内；第二导电型的第二杂质层，其与所述二极管元件的阴极电极连接，在所述阱层内与所述第一杂质层分开而形成，由所述第一杂质层、所述阱层以及所述第二杂质层构成横向型的双极晶体管。