[发明专利]沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，对沟槽进行光刻、刻蚀、栅氧化层热生长后，只进行一次多晶硅的淀积、回刻，通过在淀积的多晶硅上光刻、高能量、大束流氧离子注入、高温退火形成多晶硅间氧化层，将位于多晶硅间氧化层上面邻近多晶硅间氧化层间缺口周边的一层多晶硅刻光，从而分离成第一层和第二层多晶硅，然后进行氮化硅生长、高密度等离子体氧化膜淀积，再通过高密度等离子体氧化膜化学机械研磨至氮化硅表面、少许氧化层湿法剥离、去掉多晶硅顶部氮化硅；最终形成沟道体、源极及接触孔、金属层和钝化层。本方法实现的沟槽型双层栅功率MOS结构两层多晶硅侧壁之间不易漏电。

主权项

1、一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)沟槽光刻、刻蚀；(2)栅氧化层生长；(3)多晶硅淀积、掺杂、多晶硅回刻；(4)对所述多晶硅光刻、高能量、大束流氧离子注入、高温退火形成多晶硅间氧化层，多晶硅间氧化层间留有缺口；(5)将位于多晶硅间氧化层上面邻近多晶硅间氧化层间缺口周边的一层多晶硅刻光，位于多晶硅间氧化层下面并通过多晶硅间氧化层间缺口延伸到将多晶硅间氧化层上面的多晶硅作为需要接地的第一层多晶硅，位于多晶硅间氧化层上面的多晶硅作为第二层多晶硅；(6)氮化硅生长后进行高密度等离子体氧化膜淀积，再将高密度等离子体氧化膜化学机械研磨至氮化硅表面；(7)湿法剥离少许氧化层，热磷酸去掉多晶硅顶部氮化硅；(8)沟道体、源极形成；(9)接触孔、金属层和钝化层形成。