[发明专利]沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法

权利要求书

1.一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

(1)在衬底硅上的硅外延层中进行沟槽的光刻、刻蚀；

(2)在沟槽四周和硅外延层上生长栅氧化层；

(3)在沟槽中淀积多晶硅，使多晶硅填满整个沟槽，并高出硅平面以上，对多晶硅栅进行掺杂，然后对多晶硅反刻至硅平面以下；

(4)对所述多晶硅光刻、高能量、大束流氧离子注入、高温退火形成多晶硅间氧化层，多晶硅间氧化层间留有缺口；

(5)将位于多晶硅间氧化层上面邻近多晶硅间氧化层间缺口周边的一层多晶硅刻光，位于多晶硅间氧化层下面并通过多晶硅间氧化层间缺口延伸到多晶硅间氧化层上面的多晶硅作为需要接地的第一层多晶硅，位于多晶硅间氧化层上面的其它多晶硅作为第二层多晶硅；

(6)在第一层多晶硅和第二层多晶硅及多晶硅间氧化层表面生长氮化硅后进行高密度等离子体氧化膜淀积，再将高密度等离子体氧化膜化学机械研磨至多晶硅顶部的氮化硅表面；

(7)湿法剥离化学机械研磨后的少许高密度等离子体氧化膜，热磷酸去掉多晶硅顶部氮化硅；

(8)沟道体、源极形成；

(9)接触孔、金属层和钝化层形成。

2.根据权利要求1所述的沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，其特征在于，所述氧离子注入能量为280～380Kev，剂量为1e16～5e16/cm²，在1150℃～1250℃ N₂气氛下退火以形成第一层多晶硅同第二层多晶硅之间的氧化层。

3.根据权利要求2所述的沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，其特征在于，所述氧离子注入能量为320Kev，剂量为2e16/cm²，在1200℃N₂气氛下退火以形成第一层多晶硅同第二层多晶硅之间的氧化层。

4.根据权利要求1所述的沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，其特征在于，步骤(6)生长的氮化硅厚度为60埃。