[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法无效
| 申请号： | 200710093621.9 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101047118A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 冈信介;堀口贵弘;西村和晃;北村昌幸;大见忠弘;平山昌树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;C23C16/511;C23F4/00;H05H1/46;H01J37/32;H01J37/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种微波等离子体处理装置(100)，使通过多个缝隙(37)的微波透过由梁(26)所支撑的多枚电介质零件(31)，利用透过的微波使气体等离子体化，对基板G进行等离子体处理。支撑电介质零件(31)的梁(26)向着基板侧突出设置并使其端部周围的等离子体电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。通过该梁(26)的突出，能够抑制因透过相邻电介质零件(31)的微波电场能所生成的表面波所引起的干涉和当相邻电介质零件(31)下方的等离子体干涉扩散时在等离子体中传播并到达相邻等离子体的电子和离子的干涉。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：开设有多个缝隙的多个波导管、使在所述多个波导管内传播并通过所述多个缝隙的微波透过的电介质、以及利用透过所述电介质的微波使气体等离子体化而对被处理体进行等离子体处理的处理室，其中，所述电介质由多个电介质零件构成，各电介质零件被配置成在由梁所支撑的状态下，使在所述多个波导管中的一个或两个以上波导管中传播并通过各波导管的一个或两个以上缝隙的微波透过，所述梁向着所述被处理体侧突出设置，使所述被处理体侧的端部周围的等离子体中的电子密度Ne在临界等离子体电子密度Nc以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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