[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710092359.6 | 申请日： | 2007-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101034682A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 杉浦和弘 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种具有多层布线结构的半导体装置的制造方法，包括：在具有多层布线结构的半导体装置中，连接孔中不会产生冠顶，长期可靠性高、生产性经济性优异、具有足够低的通孔电阻的防反射膜的形成方法。在下层铝合金膜上配置由高熔点金属膜、Si或Si化合物构成的反射防止膜的层叠膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的多层布线的制造方法，由如下步骤构成：在包含第1阻挡层金属的布线用金属膜上层叠高熔点金属膜；在所述高熔点金属膜上堆积防反射膜；形成由包含所述第1阻挡层金属的布线用金属膜、所述高熔点金属膜、以及所述防反射膜构成的布线；在所述布线上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成与作为所述布线最上层的所述防反射膜的连接孔；在形成所述连接孔之后有选择地除去所述连接孔底部的所述防反射膜；以及经由所述连接孔堆积第2布线用金属膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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