[发明专利]回流方法、图形形成方法和TFT元件的制造方法无效
| 申请号： | 200710092234.3 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101047121A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 麻生丰 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/336;H01L21/84;G03F7/40;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在抗蚀剂的回流处理中，能够高精度地控制软化的抗蚀剂的流动方向和流动面积，因而可以应用于图形形成以及液晶显示装置用TFT元件的制造中的技术。在回流处理的抗蚀剂(103)的表面上设置有高低差，具有厚膜部(103a)以及膜厚相对薄的薄膜部(103b)。厚膜部(103a)在目标区域(S1)侧形成，薄膜部(103b)在禁止区域(S2)侧形成。厚膜部(103a)因为对稀释剂气氛的露出面积大，故软化快，超越台阶(D)而向目标区域(S1)进行流动。薄膜部(103b)由于对稀释剂气氛的露出面积比较小，所以难以进行软化，比起厚膜部(103a)来流动性不大，未到达禁止区域(S2)流动就停止。 | ||
| 搜索关键词： | 回流 方法 图形 形成 tft 元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种回流方法，其特征在于：其是对具有下层膜、以及在该下层膜的上层以形成有露出所述下层膜的露出区域和覆盖所述下层膜的覆盖区域的方式而图形形成的抗蚀剂膜的被处理体，通过使所述抗蚀剂膜的抗蚀剂软化流动，覆盖所述露出区域的一部或者全部的回流方法，其中，作为所述抗蚀剂膜，使用因部位而膜厚变化、至少具有膜厚厚的厚膜部与相对于该厚膜部膜厚相对薄的薄膜部的形状的抗蚀剂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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