[发明专利]界面粗糙度降低膜、其原料、由其制得的布线层和半导体器件、制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200710089088.9 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101047164A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 今田忠纮;中田义弘;矢野映 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/768;C08G77/04 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。 | ||
| 搜索关键词： | 界面 粗糙 降低 原料 布线 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，其中所述布线和所述界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小于所述绝缘体膜和所述界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度。
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