[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

在半导体晶片的背面层叠厚度超过25μm的粘接剂层和切割带。使用切入深度到达粘接剂层的第1刀具，一起切割半导体晶片和粘接剂层的一部分。使用切入深度到达切割带而且宽度小于第1刀具的第2刀具，一起切割粘接剂层和切割带的一部分。从切割带上拾取和粘接剂层一起将半导体晶片切割为单体的半导体元件，并粘接在其他半导体元件、电路基体材料等上。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在具有多个元件区域的半导体晶片的背面，依次层叠厚度超过25μm的粘接剂层和切割带的工序；第1切割工序，使用切入深度到达所述粘接剂层的第1刀具，对应所述多个元件区域和所述粘接剂层的一部分一起切割所述半导体晶片；第2切割工序，使用切入深度到达所述切割带而且宽度小于所述第1刀具的第2刀具，和所述切割带的一部分一起切割所述粘接剂层；从所述切割带上拾取在所述第1和第2切割工序中和所述粘接剂层一起切割所述半导体晶片从而单体化的半导体元件的工序；将所述拾取的半导体元件夹着形成于其背面的所述粘接剂层粘接在装置构成基体材料上的工序。