[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710086189.0 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101034693A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 萩尾义知 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供绝缘性斜坡材料形成为适当的形状而成的半导体器件及其制造方法。采用半导体器件(1)，其特征在于，具备：具备多个端子(2a)的基底基板(2)；在一面(3b)上具备多个焊盘(3a)并安装于基底基板(2)的半导体芯片(3)；形成于半导体芯片(3)的侧方并填埋半导体芯片(3)和基底基板(2)的台阶的绝缘性斜坡材料(4)；至少通过绝缘性斜坡材料(4)之上并电连接基底基板(2)的端子(2a)和半导体芯片(3)的焊盘(3a)的布线图案(5)。其中，在基底基板(2)上设置有止动绝缘性斜坡材料(4)的基底侧止动部(2e)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：具备多个端子的基底基板；在一面上具备多个焊盘并安装在所述基底基板上的半导体芯片；形成于所述半导体芯片的侧方并填埋所述半导体芯片和所述基底基板的台阶的绝缘性斜坡材料；以及至少通过所述绝缘性斜坡材料之上并电连接所述基底基板的所述端子和所述半导体芯片的所述焊盘的布线图案；其中，在所述基底基板上设置有止动所述绝缘性斜坡材料的基底侧止动部。
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