[发明专利]氮化物半导体发光装置制造方法无效
| 申请号： | 200710084338.X | 申请日： | 2007-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101030618A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪;笔田麻佑子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有高的光发射输出同时可以减小正向电压(Vf)的氮化物半导体发光装置制造方法。本发明涉及一种氮化物半导体发光装置制造方法，该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(4)；其中所述n型氮化物半导体包括至少n型接触层(3)和n侧GaN层(101)，n侧GaN层(101)由单个或多个非掺杂和/或n型层组成，且该方法包括步骤：使用含氮气的气体作为载气通过金属有机物化学气相沉积形成n侧GaN层(101)，使得n侧GaN层(101)形成于n型接触层(3)和有源层(4)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光装置制造方法，所述氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于所述n型氮化物半导体和所述p型氮化物半导体之间的有源层；其中所述n型氮化物半导体包括至少n型接触层和n侧GaN层；以及所述n侧GaN层由单个或多个非掺杂和/或n型层组成；所述方法包括步骤：使用含氮气的气体作为载气通过金属有机物化学气相沉积形成所述n侧GaN层，使得所述n侧GaN层形成于所述n型接触层和所述有源层之间。
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