[发明专利]一种集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200710071667.0 | 申请日： | 2007-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101005059A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王颖;赵春晖;曹菲 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 哈尔滨市哈科专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 刘娅 |
| 地址： | 150001黑龙江省哈*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用的集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构及其制备方法。它包括基片和在基片上设置的Zr粘附层、阻挡层、Zr缓冲层，阻挡层设置在Zr粘附层和Zr缓冲层之间，Zr缓冲层设置在最上面。本发明大大改善了Cu抗电迁徙能力、阻挡层的性能、层间粘附性以及降低接触电阻等方面，而且制备工艺无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高，易于推广使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 半导体器件 金属化 阻挡 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路或半导体器件铜金属化阻挡层结构，它包括基片，其特征在于它还包括在基片上设置的Zr粘附层、阻挡层、Zr缓冲层，阻挡层设置在Zr粘附层和Zr缓冲层之间，Zr缓冲层设置在最上面。
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