[发明专利]应用于半导体照明的玻璃陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开的用于半导体照明的玻璃陶瓷的组成为SiO₂ 45－60mol％，Al₂O₃ 0－25mol％，Na₂O 0－10mol％，NaF 0－10mol％，ZnF₂ 0－20mol％，MF₂ 0－40mol％，CeF₃ 0.5－30mol％，RF₃ 0.1－20mol％，其中M表示Mg²⁺、Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺中的一种或几种；R表示Dy³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺，Sm³⁺，Pr³⁺中的一种或几种。制备采用高温熔制和热处理工艺，方法简单、无污染、成本低。发明的玻璃陶瓷具有激发波长宽、发光亮度高、耐紫外辐射、化学稳定性和热稳定性好的特点。该玻璃陶瓷与紫外、紫光或蓝光LED配合，可制成新型的LED照明器件。

主权项

1.应用于半导体照明的玻璃陶瓷，其特征在于它的组分及摩尔百分含量如下：SiO2 45-60mol％Al2O3 0-25mol％Na2O 0-10mol％NaF 0-10mol％ZnF2 0-20mol％MF2 0-40mol％CeF3 0.5-30mol％RF3 0.1-20mol％这里，M表示Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+中的一种或几种；R表示Dy3+、Eu3+、Tb3+，Sm3+，pr3+中的一种或几种，上述组分之和为100mol％，其中Al2O3、ZnF2和MF2的含量不同时为0。