[发明专利]应用于半导体照明的玻璃陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.应用于半导体照明的玻璃陶瓷，其特征在于它的组分及摩尔百分含量如下：

SiO₂     45-60mol％

Al₂O₃    0-25mol％

Na₂O     0-10mol％

NaF      0-10mol％

ZnF₂     0-20mol％

MF₂      0-40mol％

CeF₃     0.5-30mol％

RF₃      0.1-20mol％

这里，M表示Mg²⁺、Ca²⁺、Sr²⁺、Ba²⁺中的一种或几种；R表示Dy³⁺、Eu³⁺、Tb³⁺，Sm³⁺，pr³⁺中的一种或几种，上述组分之和为100mol％，其中Al₂O₃、ZnF₂和MF₂的含量不同时为0。

2.根据权利要求1所述的应用于半导体照明的玻璃陶瓷的制备方法，其特征在于步骤如下：

1)首先按组成计量称取各组分，其中Na₂O用Na₂CO₃引入，MF₂用碱土金属氟化物引入，RF₃用稀土氟化物引入，将上述原料充分混合均匀后置入坩埚中，将坩埚放入已经升温至1300-1500℃炉中，在还原气氛下熔融成液态，熔料在熔融温度下恒温0.5-2小时后，倒入模具，得到玻璃；

2)对步骤1)制得的玻璃进行差热分析，得到其第一析晶峰温度和玻璃化温度点，在第一析晶峰温度和玻璃化温度范围对上述玻璃进行热处理，得到玻璃陶瓷。

3.根据权利要求2所述的应用于半导体照明的玻璃陶瓷的制备方法，其特征是在步骤1)的原料中加入低于原料总量3mol％的澄清剂和/或助熔剂。