[发明专利]浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法无效
| 申请号： | 200710064728.0 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101070613A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈广超;李彬;吕反修 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法，属于金刚石制备技术领域。采用氩气和氢气混合气体作为等离子体源气体，在混合气体中保持氩气和氢气的流量比为Ar/H2＝2－4；氩气和氢气混合气体采用直流电弧激发方式，激发功率在10－30kW，使之受激为等离子体；沉积腔的原始真空在10－1Pa以下；采用无定形碳作为碳源，覆盖在钻有微孔的石墨支撑台上，无定形碳以范德华力和石墨表面相连，石墨支撑台上的微孔直径为2－8mm；基材为(100)晶面的单晶金刚石，通过钎焊固定在钼金属的基材托杆上，基材通过石墨支撑台上的微孔，浸埋在无定形碳中，在制备过程中基材温度保持在900－1100℃之间。优点在于，大量节约甲烷(CH4)的用量。 | ||
| 搜索关键词： | 浸埋式 固态 碳源 制备 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浸埋式固态碳源制备单晶金刚石的方法，其特征在于，采用氩气和氢气混合气体作为等离子体源气体，在混合气体中保持氩气和氢气的流量比为Ar/H2＝2-4；氩气和氢气混合气体采用直流电弧激发方式，激发功率在10-30kW，使之受激为等离子体；沉积腔的原始真空在10-1Pa以下，等离子体点燃后，沉积腔压强在100-104Pa之间；采用无定形碳作为碳源，覆盖在钻有微孔的石墨支撑台上，无定形碳以范德华力和石墨表面相连，石墨支撑台上的微孔直径为2-8mm；基材为(100)晶面的单晶金刚石，通过钎焊固定在钼金属的基材托杆上，基材通过石墨支撑台上的微孔，浸埋在无定形碳中，在制备过程中基材温度保持在900-1100℃之间。
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