[发明专利]一种可避免产生突起的保护层制作方法有效
| 申请号： | 200710047363.0 | 申请日： | 2007-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101419933A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈福刚;常建光;王永刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可避免产生突起的保护层制作方法，该保护层制作在半导体器件的顶层金属上，该顶层金属具有多条相邻的金属导线，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层和一塑胶保护层。现有技术中沉积完氧化层时会在相邻且间距较小的金属导线间形成密闭空间且密封一部分气体，该部分气体会在后续步骤中形成突起，该突起将会影响塑胶保护层和半导体器件的可靠性。本发明的保护层制作方法先沉积氧化层；然后刻蚀氧化层以增大金属导线间间隙；接着沉积氮化硅层；最后涂覆塑胶保护层并进行预烘。采用本发明的可避免产生突起的保护层制作方法可制作出无突起的保护层，如此可大大提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 避免 产生 突起 保护层 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种可避免产生突起的保护层制作方法，该保护层制作在半导体器件的顶层金属上，该顶层金属具有多条相邻的金属导线，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层和一塑胶保护层，该保护层制作方法包括以下步骤：(1)沉积氧化层；(2)沉积氮化硅层；(3)涂覆塑胶保护层并进行预烘；其特征在于，该保护层制作方法还在步骤(1)与步骤(2)间具有刻蚀氧化层以增大金属导线间间隙的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
