[发明专利]一种可避免产生突起的保护层制作方法

权利要求书

1.一种可避免产生突起的保护层制作方法，该保护层制作在半导体器件的顶层金属上，该顶层金属具有多条相邻的金属导线，该保护层包括一氧化层、一氮化硅层和一塑胶保护层，该保护层制作方法包括以下步骤：(1)沉积氧化层，其中，沉积所述氧化层时会在两相邻金属导线边沿沉积出突出的肩部；(2)沉积氮化硅层；(3)涂覆塑胶保护层并进行预烘；其特征在于，该保护层制作方法还在步骤(1)与步骤(2)间具有刻蚀氧化层以平缓所述突出的肩部、增大金属导线间间隙的步骤。

2.如权利要求1所述的可避免产生突起的保护层制作方法，其特征在于，在该刻蚀氧化层的步骤中，微波功率为600瓦，压力范围为12至13帕斯卡，氩气的流量为200标准状态毫升/分，四氟化碳的流量为15标准状态毫升/分，三氟甲烷的流量为45标准状态毫升/分，刻蚀时间为25秒。

3.如权利要求1所述的可避免产生突起的保护层制作方法，其特征在于，在步骤(1)中，通过低压化学气相沉积工艺沉积该氧化层。

4.如权利要求1所述的可避免产生突起的保护层制作方法，其特征在于，在步骤(2)中，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积该氮化硅层。

5.如权利要求1所述的可避免产生突起的保护层制作方法，其特征在于，该塑胶保护层为聚酰亚胺薄膜。

6.如权利要求1所述的可避免产生突起的保护层制作方法，其特征在于，该半导体器件为快速循环随机存储器。

7.如权利要求1所述的可避免产生突起的保护层制作方法，其特征在于，该半导体器件为动态随机存储器。

8.如权利要求1所述的可避免产生突起的保护层制作方法，其特征在于，该顶层金属为铝。