[发明专利]一种高压电源开关接触孔侧壁垂直刻蚀方法有效
| 申请号： | 200710045574.0 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101383322A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 任连娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/306;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压电源开关接触孔侧壁垂直刻蚀方法，该方法中首先利用四氟化碳气流去除第一深度接触孔表面的原生二氧化硅；其次，在特定工艺条件下，采用六氟化硫、氧气和氦气的混合气体流进行接触孔的第二深度刻蚀。本发明方法可完成对高宽深比的接触孔所进行的进一步深度刻蚀且刻蚀所得的第二深度接触孔侧壁垂直。同时本发明方法中，还利用对六氟化硫与氧气的气体流比例的调节来控制其刻蚀速率，从而使其在相同的刻蚀时间内刻蚀得到不同的接触孔刻蚀深度，满足不同的设计需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 电源开关 接触 侧壁 垂直 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种高压电源开关接触孔侧壁垂直刻蚀方法，其特征在于包括以下步骤:1)在特定工艺条件下，利用四氟化碳气流去除第一深度接触孔表面的原生二氧化硅；2)在特定工艺条件下，采用六氟化硫、氧气和氦气的混合气体流进行接触孔的第二深度刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
