[发明专利]应用于闪存的双重侧壁

摘要

本发明揭示了一种应用于闪存的双重侧壁，该双重侧壁包括第一离子增强氧化物层、氮化硅和第二等离子增强氧化物层；其中，应用于闪存单元阵列的双重侧壁中，在沉积层间电介质层时第二等离子增强氧化物层被移除；应用于闪存外围设备的二次阵列中，在外围设备的源极/漏极植入时，所有层都被保留，在沉积层间电介质层时，第二等离子增强氧化物层被移除。本发明还揭示了一种应用于闪存的双重侧壁的制程方法。本发明在闪存外围设备的源极/漏极植入时，侧壁是厚的，而进行层间电介质的沉积时，侧壁是薄的。这样既提高了外围高压电路的击穿电压，又使得闪存阵列在进行层间电介质填充时不会由于阵列过密而产生空洞。

主权项

1.应用于闪存的双重侧壁，其特征在于，所述双重侧壁包括第一离子增强氧化物层、氮化硅和第二等离子增强氧化物层；其中，应用于闪存单元阵列的双重侧壁中，在沉积层间电介质层时第二等离子增强氧化物层被移除；应用于闪存外围设备的二次阵列中，在外围设备的源极/漏极植入时，所有层都被保留，在沉积层间电介质层时，第二等离子增强氧化物层被移除。