[发明专利]形貌可控的氧化铟纳米晶的制备方法无效
申请号: | 200710044191.1 | 申请日: | 2007-07-25 |
公开(公告)号: | CN101109100A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 曾宇平;储德韦;江东亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C30B7/00 | 分类号: | C30B7/00;C30B7/14;C30B29/16;C01G15/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种形貌可控的氧化铟纳米晶的制备方法,其特征在于以铟的化合物的甲醇或乙醇溶液为前驱体,在含NaOH或KoH的甲醇或乙醇溶液中醇解,然后醇解后的悬浮液放入反应釜中通过醇热反应制成;所述的前驱体中铟的质量百分浓度为0.5-10%,或前驱体中掺杂质量百分量为0.1-10at%,过渡金属离子分别制成不掺杂或掺杂氧化铟纳米晶,纳米晶呈纳米立方块或纳米棒,产率高达80%。掺杂In2O3显示出的磁性能可用掺杂量、醇热时间和温度调节。 | ||
搜索关键词: | 形貌 可控 氧化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形貌可控的氧化铟纳米晶的制备方法,包括原料和配比的选择,其特征在于:不掺杂的氧化铟纳米晶是以铟的化合物的甲醇或乙醇溶液为前驱体,在含NaOH或KOH的甲醇或乙醇溶液中醇解,然后醇解后的悬浮液放入反应釜中通过醇热反应制备而成;所述的前驱体中铟的质量百分浓度为0.5%-10%;所述的NaOH或KOH的质量百分浓度为0.4%-7.5%;反应釜的醇热反应温度为200-250℃。
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