[发明专利]测试基体、测试基体掩膜及测试基体的形成方法有效
| 申请号： | 200710040262.0 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295706A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试基体，所述测试基体包括至少一个连续测试单元系列，单一所述连续测试单元系列中包含至少两个连续测试单元，所述连续测试单元包含一个测试基元和一个测试辅助基元，所述连续测试单元系列内测试基元和测试辅助基元间隔相接；同一所述连续测试单元系列内不同连续测试单元包含的所述测试基元与所述测试辅助基元的尺寸之比相同，相邻的连续测试单元间所述测试基元和所述测试辅助基元的尺寸渐变。可通过检测所述钝化层表面氧化物的残留，进而可获得合适的工艺窗口，以抑制所述钝化层表面氧化物残留现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 基体 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试基体，其特征在于：所述测试基体包括至少一个连续测试单元系列，单一所述连续测试单元系列中包含至少两个连续测试单元，所述连续测试单元包含一个测试基元和一个测试辅助基元，所述连续测试单元系列内测试基元和测试辅助基元间隔相接；同一所述连续测试单元系列内不同连续测试单元包含的所述测试基元与所述测试辅助基元的尺寸之比相同，相邻的连续测试单元间所述测试基元和所述测试辅助基元的尺寸渐变。
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