[发明专利]半导体光电探测器芯片结构无效
| 申请号： | 200710031793.3 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101183691A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王钢;陈诗育 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/102 | 分类号： | H01L31/102;H01L31/107;H01L31/105 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体光电探测器芯片结构，包括衬底、层叠于衬底上的吸收层及层叠于衬底下的N型电极，部分的吸收层上形成有P型重掺杂层，P型重掺杂层上设置有P型电极，且P型重掺杂层上还形成有一入射光窗口，其中，P型重掺杂层的四周填充有绝缘材料层，且P型电极延伸至绝缘材料层的表面，并覆盖在绝缘材料层的表面上。本发明能有效降低器件的电容、具有良好的稳定性且工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 探测器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光电探测器芯片结构，包括衬底、层叠于衬底上的吸收层及层叠于衬底下的N型电极，部分的吸收层上形成有P型重掺杂层，P型重掺杂层上设置有P型电极，且P型重掺杂层上还形成有一入射光窗口，其特征在于：P型重掺杂层的四周填充有绝缘材料层，且P型电极延伸至绝缘材料层的表面，并覆盖在绝缘材料层的表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
