[发明专利]纳米硅异质结反向二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200710024272.5 | 申请日： | 2007-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101114678A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 韦文生 | 申请（专利权）人： | 韦文生 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 | 代理人： | 王阿宝 |
| 地址： | 325000浙江省温州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米硅异质结反向二极管及其制备方法，包括单晶硅基片、电极、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜，所述纳米硅薄膜和单晶硅基片构成纳米硅/单晶硅异质结构，所述单晶硅基片的载流子浓度不小于2.4×1020cm－3，所述纳米硅薄膜的载流子浓度为2.0×1019cm－3－1.0×1020cm－3。本发明实现了利用纳米硅薄膜制成反向二极管，并相较过去其他材料制成的反向二极管，其反向击穿电压提高了约2V，使反向二极管工作电压区间得到明显地提高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 硅异质结 反向二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米硅异质结反向二极管，其特征在于：包括单晶硅基片、电极、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜，所述纳米硅薄膜和单晶硅基片构成纳米硅/单晶硅异质结构，所述单晶硅基片的载流子浓度不小于2.4×1020cm-3，所述纳米硅薄膜的载流子浓度为2.0×1019cm-3-1.0×1020cm-3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韦文生，未经韦文生许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710024272.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
