[发明专利]高性能半导体纳米硅场电子发射材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200710020043.6 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017751A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 徐骏;陈坤基;黄信凡;徐岭;李伟;马忠元 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01L21/205;H01L21/324;B82B1/00;B82B3/00;C30B29/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 何朝旭 |
| 地址： | 210093江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4－50纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅晶粒的粒径在1－10nm。制备时，经过在衬底上沉积氢化非晶硅半导体薄膜、准分子超短脉冲激光晶化等步骤。本发明通过晶化使得非晶硅半导体薄膜形成纳米尺度的硅晶粒，在薄膜表面形成纳米突起，从而具有低的场发射阈值电场和高的场增强因子。由于与超大规模集成电路工艺相匹配，又可以使用廉价的玻璃衬底，因此对于半导体硅材料在大面积平板场发射显示器件的应用具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 半导体 纳米 电子 发射 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高性能半导体纳米硅场电子发射材料，包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，其特征在于：所述氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4-50纳米，所述氢化非晶硅半导体薄膜中镶嵌有均匀分布的硅晶粒，所述硅晶粒的粒径在＜30纳米。
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