[发明专利]高电阻率碲锌镉晶体的制备方法有效
| 申请号： | 200710018784.0 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101220514A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 介万奇;王涛;徐亚东;刘伟华;华慧;孙晓燕 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特点是包括以下步骤：按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm－3的In；对石英坩埚内部抽真空并封接石英坩埚；将坩埚放入合成炉中进行原料合成；将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长。由于采用五段式常压单晶生长炉，在晶体生长过程加入了过量的Te，为Cd1－xZnxTe晶体生长提供足够多的深能级TeCd2+，降低了生产成本，得到了稳定高电阻率的Cd1－xZnxTe晶体。同时Cd0.9Zn0.1Te晶锭中In的分凝因数更趋近于1，使得整个Cd0.9Zn0.1Te晶锭电阻率变化较小，提高了Cd0.9Zn0.1Te晶体均匀性和利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 碲锌镉 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(a)按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm-3的In；(b)对石英坩埚内部抽真空，当真空度达到5×10-5Pa时，封接石英坩埚；(c)将坩埚放入可以摇摆的合成炉中进行180～210小时原料合成，使之发生化合反应并混合均匀；(d)将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长，生长条件为温度梯度13～16K/cm，坩埚下降速率为0.5～1.5mm/h，生长时间为480～510小时。
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