[发明专利]高电阻率碲锌镉晶体的制备方法有效
| 申请号： | 200710018784.0 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101220514A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 介万奇;王涛;徐亚东;刘伟华;华慧;孙晓燕 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻率 碲锌镉 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高电阻率碲锌镉晶体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(a)按照化学计量配比将满足Cd0.9Zn0.1Te的纯度为7个9的原料装入高纯石英坩埚内部，加入原料质量百分数为0.5～2％的过量Te，和体积浓度为(1～6)×1018cm-3的In；
(b)对石英坩埚内部抽真空，当真空度达到5×10-5Pa时，封接石英坩埚；
(c)将坩埚放入可以摇摆的合成炉中进行180～210小时原料合成，使之发生化合反应并混合均匀；
(d)将坩埚放入五段式晶体生长炉中采用下降式垂直布里奇曼法进行晶体生长，生长条件为温度梯度13～16K/cm，坩埚下降速率为0.5～1.5mm/h，生长时间为480～510小时。
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