[发明专利]一种具有新型掺杂GaP层的AlGaInP发光二极管无效
| 申请号： | 200710013840.1 | 申请日： | 2007-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101030615A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李树强;徐现刚;夏伟;张新;任忠祥;张成山;赵克家 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子技术领域，提供了一种具有新型P型掺杂GaP层的AlGaInP发光二极管，其外延材料结构自下至上依次为N型GaAs缓冲层、N型AlxGa1－xAs过渡层、N型(AlxGa1－x)yIn1－yP下限制层、(AlxGa1－x)yIn1－yP发光区、P型(AlxGa1－x)yIn1－yP上限制层和P型电流扩展层，该发光二极管使用GaP材料作为AlGaInP发光二极管的电流扩展层，GaP电流扩展层采用碳元素进行掺杂，掺杂浓度高于1×1018cm－3。由于C掺杂具有很小的扩散系数，性质稳定，电流扩展能力高，因而提高了AlGaInP发光二极管的电流扩展能力和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 新型 掺杂 gap algainp 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种具有新型P型掺杂GaP层的AlGaInP发光二极管，其外延材料结构自下至上依次包括N型GaAs缓冲层、N型AlxGa1-xAs过渡层、N型(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、(AlxGa1-x)y In1-yP发光区、P型(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层和P型电流扩展层，以GaP材料作为P型电流扩展层，其特征在于：GaP电流扩展层采用碳元素掺杂。
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