[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法有效
| 申请号： | 200710009956.8 | 申请日： | 2007-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101183697A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘宝林;张保平;朱丽虹 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种出光效率高、晶体质量好的氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法。设有衬底、GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层，InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN层和掺镁GaN层，并从下至上设于衬底上。将(0001)面的蓝宝石衬底装入反应室，在H2气氛下热处理；降温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长第1掺硅GaN层，降温取出样品；在样品上沉积介质层，沿第1掺硅GaN层的<100><110>方向刻出窗口作为图形衬底，样品清洗后外延生长：整个外延生长完成后，将外延片退火。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片结构，其特征在于设有蓝宝石衬底、未掺杂的GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层，3～5个周期的InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN层和掺镁GaN层，从下至上未掺杂的GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、介质层、第2掺硅GaN层，3～5个周期的InGaN/GaN多量子阱、掺镁AlGaN层和掺镁GaN层依次设在蓝宝石衬底上。
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