[发明专利]制作应变硅沟道金属半导体晶体管的方法有效
| 申请号： | 200710008142.2 | 申请日： | 2007-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101231954A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 谢朝景 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/308;H01L21/20;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制作应变硅沟道金属氧化物半导体晶体管元件的方法，包含提供一衬底，于该衬底上形成至少一栅极结构，于该栅极结构上形成一掩模层，进行一蚀刻工艺以于该栅极结构相对两侧的该衬底内形成两凹槽，进行一选择性外延成长工艺以于该凹槽内分别形成一外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 应变 沟道 金属 半导体 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作应变硅沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管元件的方法，包含有：提供衬底；于该衬底上形成至少一栅极结构；于该栅极结构上形成掩模层；进行蚀刻工艺，以于该栅极结构相对两侧的该衬底内形成两凹槽；以及进行选择性外延成长工艺，以于该凹槽内分别形成外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
