[发明专利]半导体元件的制造方法与增进薄膜均匀度的方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，先提供包括存储单元区与周边电路区的基底，基底上已形成第一介电层、第一导体层与掩模层，且掩模层、第一导体层、第一介电层与基底中已形成有多个隔离结构。存储单元区的隔离结构的图案密度大于周边电路区的隔离结构的图案密度。在周边电路区的基底上形成一层保护层。接着移除存储单元区的掩模层，并在基底上形成第二导体层。保护层与第二导体层具有约略相同的移除选择比。继而以隔离结构为终止层，移除部分第二导体层与保护层，然后移除部分隔离结构，并移除掩模层。而后在基底上依次形成第二介电层与第三导体层。

主权项

1. 一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底，该基底包括存储单元区与周边电路区，该基底上已形成有第一介电层、第一导体层与掩模层，且该掩模层、该第一导体层、该第一介电层与该基底中已形成有多个隔离结构，其中，该存储单元区的该些隔离结构的图案密度大于该周边电路区的该些隔离结构的图案密度；在该周边电路区的该基底上形成保护层；移除该存储单元区的该掩模层；在该基底上形成第二导体层，该保护层与该第二导体层具有约略相同的移除选择比；以该隔离结构为终止层，移除部分该第二导体层与该保护层；移除部分该隔离结构；移除该周边电路区的该掩模层；以及在该基底上依次形成第二介电层与第三导体层。