[发明专利]自行对准接触窗及其制造方法有效
| 申请号： | 200710004742.1 | 申请日： | 2007-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101236927A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 魏鸿基;毕嘉慧 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/768;H01L27/115;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种自行对准接触窗的制造方法。此方法包括提供已形成有多个NAND型存储单元行的基底，NAND型存储单元行包括漏极区。接着，在基底上形成层间介电层，以覆盖NAND型存储单元行。再来，图案层间介电层，以形成多个开口，开口暴露出漏极区。继之，进行选择性硅成长工艺，以在开口所暴露的漏极区上形成材料层。之后，在材料层上形成金属层以填满开口。 | ||
| 搜索关键词： | 自行 对准 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种自行对准接触窗的制造方法，包括：提供基底；在该基底上形成多个NAND型存储单元行，该些NAND型存储单元行各包括漏极区；在该基底上形成层间介电层，以覆盖该些NAND型存储单元行；图案该层间介电层，以形成多个开口，该些开口分别暴露出该些漏极区；进行选择性硅成长工艺，以在该些开口所暴露的该些漏极区上形成材料层；以及在该材料层上形成金属层以填满该些开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
