[发明专利]自行对准接触窗及其制造方法

权利要求书

1. 一种自行对准接触窗的制造方法，包括：

提供基底；

在该基底上形成多个NAND型存储单元行，该些NAND型存储单元行各包括漏极区；

在该基底上形成层间介电层，以覆盖该些NAND型存储单元行；

图案该层间介电层，以形成多个开口，该些开口分别暴露出该些漏极区；

进行选择性硅成长工艺，以在该些开口所暴露的该些漏极区上形成材料层；以及

在该材料层上形成金属层以填满该些开口。

2. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该选择性硅成长工艺包括使用硅烷气体作为反应气体。

3. 如权利要求2所述的自行对准接触窗的制造方法，其中硅烷气体包括硅甲烷、硅乙烷或硅丙烷。

4. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该选择性硅成长工艺包括外延工艺。

5. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该选择性硅成长工艺包括选择性硅沉积工艺。

6. 如权利要求5所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该选择性硅沉积工艺包括化学气相沉积法。

7. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该材料层的材料包括掺杂或未掺杂的单晶硅、掺杂或未掺杂的多晶硅。

8. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该层间介电层的材料包括磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。

9. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该层间介电层的形成方法包括化学气相沉积法。

10. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该金属层的材料包括钨。

11. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该金属层的形成方法包括化学气相沉积法。

12. 如权利要求1所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该金属层形成之后，还包括移除该些开口之外的该金属层。

13. 一种自行对准接触窗的制造方法，包括：

提供基底，该基底中已形成有多个元件隔离结构，该些元件隔离结构平行排列；

在该些元件隔离结构之间的基底中形成掺杂区；

在该基底上形成层间介电层，该层间介电层中具有多个开口，该些开口分别暴露出该些掺杂区；

进行选择性硅成长工艺，以在该些开口所暴露的该些掺杂区上形成材料层；以及

在该材料层上形成金属层以填满该些开口。

14. 如权利要求13所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该选择性硅成长工艺包括使用硅烷气体作为反应气体。

15. 如权利要求14所述的自行对准接触窗的制造方法，其中硅烷气体包括硅甲烷、硅乙烷或硅丙烷。

16. 如权利要求13所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该选择性硅成长工艺包括外延工艺。

17. 如权利要求13所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该选择性硅成长工艺包括选择性硅沉积工艺。

18. 如权利要求17所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该选择性硅沉积工艺包括化学气相沉积法。

19. 如权利要求13所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该材料层的材料包括掺杂或未掺杂的单晶硅、掺杂或未掺杂的多晶硅。

20. 如权利要求13所述的自行对准接触窗的制造方法，其中该层间介电层的材料包括磷硅玻璃或硼磷硅玻璃。

21. 一种自行对准接触窗，包括：

基底，该基底上设置有多个NAND型存储单元行，该些NAND型存储单元行各包括源极区与漏极区；

层间介电层，配置于该基底上并具有多个开口，该些开口暴露出部分该些漏极区；

选择性硅成长材料层，配置于该些开口中，且位于该些漏极区上；以及

金属层，配置于该选择性硅成长材料层上并填满该些开口。