[发明专利]增强静电消散能力的半导体封装基板有效
| 申请号： | 200710003633.8 | 申请日： | 2007-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101226919A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈崇龙;李明勋 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种增强静电消散能力的半导体封装基板，是包含一介电层、复数个引脚、复数个第一静电引导线路、复数个第二静电引导线路以及一防焊层。上述第一静电引导线路与上述第二静电引导线路是形成于该介电层的复数个静电消散区内，其是为电绝缘地相邻配置且外露于该防焊层，并且上述第一静电引导线路是连接部分的引脚，藉此增强制程中基板的静电消散能力。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 静电 消散 能力 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装基板，其特征在于包含：一介电层，其表面是定义有复数个封装单元以及复数个静电消散区；复数个引脚，其是形成于该介电层的上述封装单元内；复数个第一静电引导线路与复数个第二静电引导线路，其是形成于该介电层的上述静电消散区内，在每一静电消散区内具有至少一第一静电引导线路与至少一第二静电引导线路，其是为电绝缘地相邻配置，并且该第一静电引导线路是连接部份的引脚；以及一防焊层，其是形成于该介电层上，以局部覆盖上述引脚但显露上述第一静电引导线路与上述第二静电引导线路。
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