[发明专利]通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法无效
| 申请号： | 200680054461.0 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101466865A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | C·迪萨拉 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/30;C07F7/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含五(二甲基氨基)氯二硅烷的化合物与含氮气体和任选地含氧气体一起使用以通过CVD淀积SiN(和任选SiON)膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 化学 汽相淀积使 氮化 硅膜淀积 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在反应室中通过化学汽相淀积生产氮化硅膜的方法，包括以下步骤：a)将基材引入反应室中，所述基材具有能通过化学汽相淀积接受氮化硅膜的表面；b)引入具有以下通式的含五(二甲基氨基)二硅烷的化合物：Si2(NMe2)5Y (I)其中Y选自Cl、H和氨基；c)将选自氨、肼、烷基肼化合物和氮化氢化合物中的含氮气体引入反应室中；和d)通过使含二硅烷的化合物与含氮气体在反应温度下反应，在基材的至少一部分表面上形成氮化硅膜，其中反应温度优选至少等于基材的表面温度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
