[发明专利]通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法

权利要求书

1.一种在反应室中通过化学汽相淀积生产氮化硅膜的方法，包括以下 步骤：

a)将基材引入反应室中，所述基材具有能通过化学汽相淀积接受氮化 硅膜的表面；

b)引入具有以下通式的含五(二甲基氨基)二硅烷的化合物：

Si₂(NMe₂)₅Y             (I)

其中Y选自Cl、H和氨基；

c)将选自氨、肼、烷基肼化合物和氮化氢化合物中的含氮气体引入反 应室中；和

d)通过使含二硅烷的化合物与含氮气体在反应温度下反应，在基材的 至少一部分表面上形成氮化硅膜，其中反应温度优选至少等于基材的表面 温度。

2.权利要求1的方法，其中二硅烷化合物含有小于5体积％的 Si₂(NMe₂)₆。

3.权利要求1或2的方法，其中二硅烷化合物含有五(二甲基氨基)氯 二硅烷。

4.权利要求1-3中任一项的方法，其中引入反应室中的二硅烷化合物 与含氮气体之间的摩尔比是1:0至1:50，在反应室内的总压力优选是在 0.1-10托，反应温度优选是300-650℃。

5.权利要求1-4中任一项的方法，其中通过将载气注射和鼓泡入液体 二硅烷化合物中而使二硅烷化合物作为气态产物被夹带，然后通过输送系 统取出并加入反应室中。

6.权利要求1-4中任一项的方法，其中使用蒸发器装置将二硅烷化合 物蒸发，然后通过输送系统取出已蒸发的二硅烷化合物，并加入反应室中。

7.权利要求6的方法，其中蒸发器在60-200℃范围内的温度加热。

8.权利要求5-7中任一项的方法，其中输送系统保持在25℃至-250℃ 的温度。

9.权利要求1-8中任一项的方法，其中反应室负载有1-250个安装在 一个吸盘或晶舟中的基材。

10.一种反应室中通过化学汽相淀积生产氧氮化硅膜的方法，包括以 下步骤：

a)将基材引入反应室中，所述基材具有能接受淀积膜的表面；

b)引入具有通式(I)的含五(二甲基氨基)二硅烷的化合物：

Si₂(NMe₂)₅Y              (I)

其中Y选自Cl、H和氨基；

c)将选自氨、肼、烷基肼化合物和氮化氢化合物中的含氮气体引入反 应室中；

d)将选自NO、N₂O、NO₂、O₂、O₃、H₂O和H₂O₂中的含氧气体引 入负载有至少一种基材的反应室中；

e)通过使所述二硅烷化合物、含氮气体与含氧气体在反应温度下反应， 在基材的至少一部分表面上形成氧氮化硅膜，其中反应温度优选至少等于 基材的表面温度。

11.权利要求10的方法，其中二硅烷化合物含有小于5体积％的 Si₂(NMe₂)₆。

12.权利要求10或11的方法，其中二硅烷化合物含有五(二甲基氨基) 氯二硅烷。

13.权利要求11-13中任一项的方法，其中引入反应室中的二硅烷化合 物与含氮气体之间的摩尔比是1:0至1:50，二硅烷化合物与含氧气体之 间的摩尔比是50:1至1:1，在反应室内的总压力优选是在0.1-10托，反 应温度优选是300-750℃。

14.权利要求10-13中任一项的方法，其中通过将载气注射和鼓泡入液 体二硅烷化合物中而使二硅烷化合物作为气体被夹带，然后通过进料系统 取出并加入反应室中。