[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

在本发明中，分开制作低泄漏晶体管和高性能晶体管的栅极绝缘膜。通过第一膜形成处理，在硅基板上形成第一SiON膜(步骤S1)。在低泄漏晶体管的形成区域保留该第一SiON膜，在高性能晶体管的形成区域除去该第一SiON膜(步骤S2)。而且，通过第二膜形成处理，在去除了第一SiON膜的区域上形成作为高性能晶体管的栅极绝缘膜的第二SiON膜，在保留有第一SiON膜的区域上形成包含所述第一SiON膜的第三SiON膜(步骤S3)。在第一膜形成处理中，以能够在进行第二膜形成处理时得到具有作为低泄漏晶体管的栅极绝缘膜所需的膜厚和N浓度的第三SiON膜的方式来形成第一SiON膜的膜厚和N浓度。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有使用了不同膜厚的栅极绝缘膜的2种以上晶体管，所述方法的特征在于，该方法包括以下工序：对硅基板进行第一膜形成处理，以在所述硅基板上形成第一氮氧化硅膜；在形成于所述硅基板上的所述第一氮氧化硅膜之中，保留用于形成一个晶体管的区域的所述第一氮氧化硅膜，去除用于形成其他晶体管的区域的所述第一氮氧化硅膜；以及对保留有所述第一氮氧化硅膜的所述用于形成一个晶体管的区域和去除了所述第一氮氧化硅膜的所述用于形成其他晶体管的区域进行第二膜形成处理，在去除了所述第一氮氧化硅膜的所述用于形成其他晶体管的区域上形成第二氮氧化硅膜，在保留有所述第一氮氧化硅膜的所述用于形成一个晶体管的区域上形成包含所述第一氮氧化硅膜的第三氮氧化硅膜。