[发明专利]电阻减小的FINFET及其制造方法有效
| 申请号： | 200680044055.6 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101317273A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | J·A·曼德尔曼;程慷果;路易斯·L－C·许;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造finFET的方法，包括步骤：(1)提供衬底；以及(2)在衬底上形成finFET的至少一个源极/漏极扩散区。每个源极/漏极扩散区包括(a)未形成硅化物的硅的内部区域；以及(b)在未形成硅化物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 减小 finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造finFET的方法，包括：提供衬底；以及在衬底上形成finFET的至少一个源极/漏极扩散区；其中每个源极/漏极扩散区包括：未形成硅化物的硅的内部区域；以及在未形成硅化物的硅的区域的顶面和侧壁上形成的硅化物。
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