[发明专利]半导体纳米晶的单源前体有效
| 申请号： | 200680042159.3 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101341228A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | M·科亚库蒂;A·维尔马;S·R·维德拉;N·库马尔;T·R·N·库蒂 | 申请（专利权）人： | 国防研究与发展组织总干事 |
| 主分类号： | C09K11/54 | 分类号： | C09K11/54;C30B29/68 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 印度*** | 国省代码： | 印度;IN |
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| 摘要： | 制备半导体纳米晶的单源固体前体基质的方法，包括步骤：a)混合0.1－1摩尔含有主体基质第一组分的水或非水(有机)溶液(1)和0.001－0.01摩尔含有第一掺杂剂离子的水/非水溶液(2)，所述第一掺杂剂离子需要原位价态调整，b)溶解10－20毫克无机盐，以便在溶液中原位还原第一掺杂剂离子(3)，c)添加0.001－0.01摩尔含有无需改变其价态的掺杂剂离子的无机盐的水/非水溶液(4)，d)添加0.1－1摩尔含有主体材料第二组分的无机盐的水/非水溶液(5)，e)添加5－10重量％含有pH调整络合剂的含水溶液以获得混合物(6)，f)加热在步骤(e)获得的混合物以获得固体层状显微组织的前体化合物(7，8)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 单源前体 | ||
【主权项】：
1.制备半导体纳米晶的单源固体前体基质的方法，包括步骤：a)混合0.1-1摩尔含有主体基质第一组分的水或非水(有机)溶液和0.001-0.01摩尔含有第一掺杂剂离子的水/非水溶液，所述第一掺杂剂离子需要原位价态调整，b)溶解10-20毫克无机盐以便在溶液中原位还原第一掺杂剂离子，c)添加0.001-0.01摩尔含有无需改变其价态的掺杂剂离子的无机盐的水/非水溶液d)添加0.1-1摩尔含有主体材料第二组分的无机盐的水/非水溶液，e)添加5-10重量％含有pH调整络合剂的水溶液以获得混合物，f)加热在步骤(e)获得的混合物以获得固体层状显微组织的前体化合物。
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