[发明专利]通过选择性生长来制造Ge或SiGe/Si波导或光子晶体结构的方法无效
| 申请号： | 200680032755.3 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101258434A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | D·潘;J·刘;J·米歇尔;J·A·亚塞迪斯;L·C·金莫林 | 申请（专利权）人： | 马萨诸塞州技术研究院 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于形成低损晶体高级波导的方法。该方法包括：提供一基片；以及在所述基片上形成电介质层。通过蚀刻所述电介质层的一部分，形成一通道。在用于限定所述通道的区域中，选择性地生长Si、Ge或SiGe层。此外，该方法包括在限定的温度范围中对所述波导进行热退火。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 选择性 生长 制造 ge sige si 波导 光子 晶体结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成低损晶体高级波导的方法，包括：提供一基片；在所述基片上形成电介质层；通过蚀刻所述电介质层的一部分，形成一通道；在用于限定所述通道的区域中，选择性地生长Si、Ge或SiGe层；以及在限定的温度范围中，对所述波导进行热退火。
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