[发明专利]通过选择性生长来制造Ge或SiGe/Si波导或光子晶体结构的方法无效
| 申请号： | 200680032755.3 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101258434A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | D·潘;J·刘;J·米歇尔;J·A·亚塞迪斯;L·C·金莫林 | 申请（专利权）人： | 马萨诸塞州技术研究院 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 选择性 生长 制造 ge sige si 波导 光子 晶体结构 方法 | ||
1.一种用于形成低损晶体高级波导的方法，包括：
提供一基片；
在所述基片上形成电介质层；
通过蚀刻所述电介质层的一部分，形成一通道；
在用于限定所述通道的区域中，选择性地生长Si、Ge或SiGe层；以及
在限定的温度范围中，对所述波导进行热退火。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基片包括Si。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括氧化硅(SiOx)。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括氮化物(SixNy)。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括氧氮化物(SiOxNy)。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括二氧化硅(SiO2)。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性生长包括UHCVD。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性生长包括LPCVD。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度范围介于700到900C之间。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括上覆层，所述上覆层包括其折射率低于SiGe的材料。
11.一种低损晶体高级波导，包括：
基片；
在所述基片上形成的电介质层；
通过蚀刻所述电介质层的一部分而形成的通道；以及
在用于限定所述通道的区域中选择性地生长的Si、Ge或SiGe层；其中在限定的温度范围中对所述波导进行退火。
12.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，所述基片包括Si。
13.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，所述电介质层包括氧化硅(SiOx)。
14.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，所述电介质层包括氮化物(SixNy)。
15.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，所述电介质层包括氧氮化物(SiOxNy)。
16.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，所述电介质层包括二氧化硅(SiO2)。
17.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，所述选择性生长包括UHCVD。
18.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，所述选择性生长包括LPCVD。
19.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，所述温度范围介于700到900C之间。
20.如权利要求11所述的低损晶体高级波导，其特征在于，还包括上覆层，所述上覆层包括其折射率低于SiGe的材料。
21.一种光子晶体结构，包括：
基片；
在所述基片上形成的电介质层；
通过蚀刻所述电介质层的一部分而形成的孔阵列；以及
在这些孔中执行Si、Ge或SiGe层的选择性地生长；其中在限定的温度范围中对所述光子晶体进行退火。
22.如权利要求21所述的光子晶体，其特征在于，所述基片包括Si。
23.如权利要求21所述的光子晶体，其特征在于，所述电介质层包括氧化硅(SiOx)。
24.如权利要求21所述的光子晶体，其特征在于，所述电介质层包括氮化物(SixNy)。
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