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[发明专利]3-氨基酪氨酸遗传掺入还原酶-CN200880123027.2有效
发明人： M·R·塞德萨姆多斯特;谢建明;C·T·常;L·阿方达;P·G·舒尔茨;J·斯多比 -专利权人：斯克利普斯研究院;马萨诸塞州技术研究院
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C12N15/53 文献下载
摘要：本发明提供包含NH2Y非天然氨基酸残基的还原酶蛋白，将NH2Y掺入还原酶的正交组分系统和利用还原酶中的NH2Y氨基酸残基作为分子探针检测还原酶功能、结构和活性的方法。
氨基酪氨酸遗传掺入还原酶

[发明专利]通过选择性生长来制造Ge或SiGe/Si波导或光子晶体结构的方法-CN200680032755.3无效
发明人： D·潘;J·刘;J·米歇尔;J·A·亚塞迪斯;L·C·金莫林 -专利权人： 马萨诸塞州技术研究院
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：提供了一种用于形成低损晶体高级波导的方法。该方法包括：提供一基片；以及在所述基片上形成电介质层。通过蚀刻所述电介质层的一部分，形成一通道。在用于限定所述通道的区域中，选择性地生长Si、Ge或SiGe层。此外，该方法包括在限定的温度范围中对所述波导进行热退火。
通过选择性生长制造 ge sige si 波导光子晶体结构方法

[发明专利]带有沟槽结构的光波导-CN01819132.0无效
发明人： L·C·基默林;K·瓦达;H·A·豪斯;M·波波维奇;S·阿基亚马 -专利权人： 马萨诸塞州技术研究院
申请日： 2001-10-15 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：用空气沟槽包覆层的配置能将拖尾减到最小以抑制光耦合到辐射模式，产生低损耗弯头和分离器。用这样的空气沟槽包覆层提供包括没有传输损耗的急剧弯头和T－分离器，没有串话的交叉以及来自/通向光纤和没有实质损耗的平面外波导的耦合器在内的结构。波导的空气沟槽侧壁包覆层将拖尾推向顶部和底部包覆层以增强垂直定位的波导之间的耦合。也提供了应用晶片黏结技术的制造工艺。
带有沟槽结构波导

[发明专利]非轴对称带电粒子束系统-CN200580022931.0无效
发明人： R·J·巴哈特;C·陈;J·周 -专利权人： 马萨诸塞州技术研究院
申请日： 2005-06-06 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H01J3/12 文献下载
摘要：带电粒子束系统包括形成具有椭圆横截面的非轴对称束的非轴对称二极管。聚焦元件将磁场用于聚焦和传输该非轴对称束，其中该非轴对称束与聚焦元件的通道大致匹配。
轴对称带电粒子束系统

[发明专利]具有改良的抗原结合亲和力的改变的抗体-CN200480028040.1无效
发明人：赫尔曼·范维里杰曼;布赖恩·W·H·谢曼;亚历克西·A·卢戈夫斯科伊 -专利权人：比奥根艾迪克MA公司;马萨诸塞州技术研究院
申请日： 2004-07-26 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明涉及通过使用对应溶剂中的抗体和抗原之间的复合物结构的数据测定最小化溶剂中的抗体和抗原间结合自由能的静电作用的抗体CDRs的电荷分布的表示法以调节抗体的抗原结合亲和力的方法。通过这些测定的引导，抗体被相应修饰(改变)以通过修饰至少一个氨基酸残基改良例如，抗体/抗原的结合以降低当在溶剂中结合时抗体和抗原之间的结合自由能。
具有改良抗原结合亲和力改变抗体

[发明专利]非易失性存储装置-CN200480029224.X无效
发明人：芒吉·G·鲍温迪;弗拉迪米尔·布洛维克;塞思·A·科 -专利权人： 马萨诸塞州技术研究院
申请日： 2004-10-06 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种存储装置，可以包括具有可选择横向电导的有源层。所述层可以包括多个纳米颗粒。
非易失性存储装置

[发明专利]电池用的聚合物电解质，嵌入式化合物和电极-CN200510071285.9无效
发明人： A·M·梅斯;G·锡德;蒋玉明;D·R·萨多韦;M·K·艾登奥尔;P·P·苏;张永一;黄碧英 -专利权人： 马萨诸塞州技术研究院
申请日： 1997-10-10 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种通式为Li_xM_yN_zO₂的化合物及其制备方法。M和N各自是金属原子或主族元素，x，y和z均为0－1的数，y和z的数值是使所述的化合物的M_yN_z部分上的形式电荷为(4－x)。在某些实施方式中，这些化合物用在可充电电池的正极里。本发明还包括含有该化合物的制品。
电池聚合物电解质嵌入式化合物电极

[发明专利]包含半导体纳米晶体的发光器件-CN03812070.4有效
发明人：弗拉迪米尔·布洛维克;塞思·A·科;胡颖强;芒吉·G·巴温迪 -专利权人： 马萨诸塞州技术研究院;通用显示器公司
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明披露一种发光器件，其包括在层内的半导体纳米晶体。该层可以为非聚合的层。
包含半导体纳米晶体发光器件

[发明专利]铜－氧化物大马士革结构的化学机械抛光-CN02806870.X无效
发明人：南纳吉·萨卡;赖俊宇;希拉里奥·L·奥 -专利权人： ASML美国公司;马萨诸塞州技术研究院
申请日： 2002-01-23 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属大马士革结构的化学机械抛光的方法，该金属大马士革结构包括：绝缘层，其具有位于晶片上的刻槽；以及金属层，其具有位于绝缘层的刻槽内的下部和覆盖所述下部和绝缘层的上部。该方法包括：第一步骤，其对金属层的上部进行平面化；以及第二步骤，其对绝缘层和金属层的下部进行抛光。在第一步骤中，在接触模式下，通过在晶片与抛光垫之间施加压力p并产生相对速度v而将晶片和抛光垫负荷在一起，以提高金属的去除速率。在第二步骤中，在稳态模式下，对绝缘层和金属层的下部进行抛光，以在刻槽中形成单独的金属线，且使金属线的凹陷和绝缘层的过抛最小。
氧化物大马士革结构化学机械抛光

[发明专利]改变波导微谐振器谐振的方法-CN01819209.2无效
发明人： D·R·利姆;L·C·吉姆林 -专利权人： 马萨诸塞州技术研究院
申请日： 2001-09-21 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：调节、切换或调制、或通常改变波导微谐振器谐振的几种方法。通过精细地改变该微谐振器的尺寸，通过改变该装置的局部物理结构或通过改变该微谐振器内谐振模的有效和总折射率，能够永久地或临时地改变谐振。此外，改变波导周围的折射率分布的非对称性能够改变该波导的双折射性，并允许控制该波导内的偏振。这种折射率分布的改变可以用于改变该谐振器的偏振依赖性或双折射性。
改变波导谐振器谐振方法

[发明专利]电池用的聚合物电解质,嵌入式化合物和电极-CN97180536.9有效
发明人： A·M·梅斯;G·锡德;蒋玉明;D·R·萨多韦;M·K·艾登奥尔;P·P·苏;张永一;黄碧英 -专利权人： 马萨诸塞州技术研究院
申请日： 1997-10-10 - 公布日： 2000-03-08 - 主分类号： H01M6/00 文献下载
摘要：提供了固体电池组分。嵌段共聚物电解质在电池的整个典型工作温度范围内(即至少在0－70℃范围内)是非交联的和非玻璃态的。每一构成共聚物的链包含至少一个离子性导电链段和至少一个与该离子性导电链段不相溶混的第二链段。各链形成无定形的缔合体;排列成有序的毫微结构,该结构包括无定形离子性导电区连续基质和与离子性导电区不相溶混的第二无定形区。提供了一种通式为LixMyNzO2的化合物。M和N各自是金属原子或主族元素,x,y和Z均为0－1的数,y和z的数值是使所述的化合物的MyNz部分上的形式电荷为(4－X)。在某些实施方式中,这些化合物用在可充电电池的正极里。本发明还包括预测金属二硫属化物是否可用于锂嵌入式化合物的方法。也提供了处理锂嵌入式氧化物使其具有所需的结构和组分均匀性以实现生成能增加的方法。还涉及一种制品,它由第一相和第二相形成的尺寸稳定的、相互贯穿的微结构构成,第一相包含第一组分,第二相包含与第一相不相溶混的第二组分。第一相与第二相之间形成相间分界面,至少有一个颗粒位于该分界面上。当第一和第二相分别是电子性导电和离子性导电聚合物,而颗粒是离子宿主颗粒时,这装置是电池的电极。
电池聚合物电解质嵌入式化合物电极

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