[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 200680027408.1 | 申请日: | 2006-07-20 |
公开(公告)号: | CN101233394A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 西和夫;荒尾达也;广濑笃志;菅原裕辅;楠本直人;山田大干;高桥秀和 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44;H01L31/10;H01L27/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件,并且涉及一种光电转换器件,其具有:具有光电转换层的光电二极管;包括晶体管的放大器电路;以及开关,其中,当入射光的强度低于预定强度时,通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接,从而通过所述放大器电路将光电电流放大,以供输出,并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开,从而按照放大系数降低光电电流,以供输出。根据这样的光电转换器件,能够探测从弱光到强光的光。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:包括光电转换层的光电二极管;包括晶体管的放大器电路;以及位于所述光电二极管和放大器电路之间的开关,其中,当进入所述光电二极管的光的强度低于预定强度时,使所述光电二极管和放大器电路通过所述开关相互电连接,从而使光电电流通过所述放大器电路放大,以供输出,并且其中,当进入所述光电二极管的光的强度高于预定强度时,所述光电二极管和所述放大器电路的至少一部分通过所述开关电断开,从而使光电电流以降低的放大系数输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680027408.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于处理内燃机的废气的方法和设备
- 下一篇:光图像计测装置