[发明专利]半导体处理的方法和装置

摘要

本发明提供用于制造半导体的方法及设备，其包含至少两个具有数个外壁的传送处理室、至少一控制处理室接附至该传送处理室、至少一负载锁定处理室接附至所述传送处理室的所述壁面、以及至少五个制程处理室接附至该传送处理室的该壁面。本发明并提供一种沉积高介电常数薄膜的方法及设备，其至少包含于第一制程处理室的一基材上，沉积基底氧化物；对至少一第二制程处理室中的基材表面，提供去耦合等离子硝化；于第三制程处理室中，对该基材表面进行退火；以及于至少一第四制程处理室中，沉积多晶硅，其中该第一、第二、第三及第四制程处理室是与一共同内部处理室流体连通。

主权项

1.一种用于制造半导体的集成制程工具，其至少包含：第一制程工具，具有至少一传送处理室以及至少一负载锁定，该负载锁定是连接该传送处理室；第二制程工具，具有至少一传送处理室；以及至少一中间处理室，连接至该第一制程工具以及该第二制程工具；其中至少五个制程处理室是连接至该传送处理室。