[发明专利]半导体构造、存储器阵列、电子系统和形成半导体构造的方法有效
| 申请号： | 200680026433.8 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101253617A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;马克·D·杜尔詹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包含具有带沟槽隔离区的半导体构造。所述带沟槽隔离区的沟槽可包含较窄底部和位于所述底部上方的较宽上部。电绝缘材料可填充所述较宽上部，同时在所述较窄底部内留下空洞。所述底部可具有大致垂直的侧壁，并且可在从所述侧壁大致垂直地延伸的台阶处接合到所述上部。所述带沟槽隔离区可并入到存储器阵列中，且/或可并入到电子系统中。本发明还包含形成半导体构造的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 构造 存储器 阵列 电子 系统 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体构造，其包括：半导体衬底；延伸到所述衬底中的沟槽；所述沟槽包括较窄底部和较宽上部，所述较宽上部位于所述底部上方且在台阶处接合所述底部；以及大致固态的电绝缘材料，其大致填充所述沟槽。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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