[发明专利]溅射装置及成膜方法有效

专利信息
申请号: 200680018096.8 申请日: 2006-10-05
公开(公告)号: CN101180417A 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 高泽悟;浮岛祯之;谷典明;石桥晓 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/34;H01L51/50;H05B33/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曹雯;李平英
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b),移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动,则磁力线也移动,第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动,因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。
搜索关键词: 溅射 装置 方法
【主权项】:
1.一种溅射装置,其具有:真空槽,板状的第一、第二靶,以及第一、第二磁铁部件,所述第一、第二磁铁部件为环状,在该环的厚度方向上被磁化;在上述真空槽内隔开一定间隔以上述第一、第二靶的表面互相平行面向的状态配置上述第一、第二靶,在上述第一、第二靶的背面侧以相异的磁极对向的方式配置上述第一、第二磁铁部件,以使从上述第一、第二靶间的间隙即溅射空间的端部向成膜对象物的成膜面放出溅射粒子,并且,具有移动部件,其使上述第一、第二磁铁部件在对上述第一、第二靶的表面平行的面内相对于上述第一、第二靶相对移动。
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