[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200680017455.8 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101180705A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 山田大干;道前芳隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;G06K19/07;H01L27/12;G06K19/077;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了提供能够降低制造成本的半导体装置制造方法以及具有缩短的制造时间和提高的成品率的半导体装置制造方法，提供了一种半导体装置制造方法，其包括的步骤有：在衬底上形成含有金属的第一层，在所述第一层上形成含有无机材料的第二层，在所述第二层上形成包括薄膜晶体管的第三层，采用激光照射所述第一层、第二层和第三层，以形成至少穿过所述第二层和第三层的开口部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：在衬底上形成含有金属的第一层；在所述第一层上形成含有无机材料的第二层；在所述第二层上形成包括薄膜晶体管的第三层；采用激光照射所述第一层、第二层和第三层，以形成至少穿过所述第二层和第三层的开口部分；以及至少将所述第三层与所述衬底分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
