[发明专利]半导体装置无效

申请号：	200680002272.9	申请日：	2006-03-09
公开（公告）号：	CN101103450A	公开（公告）日：	2008-01-09
发明（设计）人：	杉野光生;八月朔日猛;坂本有史	申请（专利权）人：	住友电木株式会社
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人：	高龙鑫
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	半导体装置(100)设有BGA基板(110)、半导体芯片(101)、凸块(106)和用在凸块(106)周围的底部填充料(108)。半导体芯片(101)的层间绝缘膜(104)由低介电常数膜组成。凸块(106)由无铅焊料组成。底部填充料(108)由弹性模量为150MPa或以上但不高于800MPa的树脂材料组成，且BGA基板(110)在基板平面方向(planar direction)的线性膨胀系数小于14ppm/℃。
搜索关键词：	半导体装置
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【主权项】：

1.半导体装置，其包括：基板，装在基板上的半导体芯片，连接所述基板和所述半导体芯片的凸块，其在所述基板与所述半导体芯片之间形成，和填充所述凸块周围的底部填充料，其在所述基板与所述半导体芯片之间形成，其中，所述凸块包括无铅焊料，所述底部填充料包括树脂材料，该树脂材料的弹性模量为150MPa～3000MPa，包括两个端点值，所述底部填充料的线性膨胀系数为40ppm/℃或以下，所述基板的基板面内方向的线性膨胀系数小于14ppm/℃，并且所述基板的基板厚度方向的线性膨胀系数小于30ppm/℃。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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