[实用新型]金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200620115141.9 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN200997401Y | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 蔡振华;蓝邦强;林育信;刘毅成;蔡成宗 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括一基底、间隙壁、源极与漏极延伸层及源极与漏极层。其中，基底上配置有栅极结构，而间隙壁位于此栅极结构的侧壁上。源极与漏极延伸层位于间隙壁以下的基底中，而源极与漏极层位于间隙壁以外的基底中。此外，源极与漏极层的深度大于源极与漏极延伸层的深度。源极与漏极延伸层及源极与漏极层均为应变层(strained layer)。因为源极与漏极延伸层及源极与漏极层具有特定的材料与结构，所以能够改善短沟道效应，并使此金属氧化物半导体场效应晶体管具有优异的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：基底；栅极结构，配置于该基底上；间隙壁，位于该栅极结构的侧壁上；源极与漏极延伸层，位于该间隙壁以下的该基底中；以及源极与漏极层，位于该间隙壁以外的该基底中，该源极与漏极层的深度大于该源极与漏极延伸层的深度，其中，该源极与漏极延伸层及该源极与漏极层均为应变层。
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